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SiC MOSFET


碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)基于碳化硅的材料特性，具有較低的開關損耗和較高的工作頻率，非常貼合電力電子的應用需求。

其寬禁帶特性使得碳化硅MOSFET可以承受高溫的極端工作環境，高熱導率特性可減少功率器件所需散熱裝置的體積和數量，高臨界擊穿場強使得碳化硅MOSFET在保持耐壓條件下有著更小的導通電阻，高飽和速度使其具有更高的開關頻率和更優異的反向恢復特性


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